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BG5412KE6327HTSA1
- Modello di prodotti:
- BG5412KE6327HTSA1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19315 Pieces
- Scheda dati:
- BG5412KE6327HTSA1.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - Prova: | 5V |
|---|---|
| Tensione - nominale: | 8V |
| Tipo transistor: | 2 N-Channel (Dual) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-SOT363-6 |
| Serie: | - |
| Alimentazione - uscita: | - |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Altri nomi: | BG 5412K E6327 BG 5412K E6327-ND SP000468150 |
| Figura di rumore: | 1.1dB |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | BG5412KE6327HTSA1 |
| Guadagno: | 24dB |
| Frequenza: | 800MHz |
| Descrizione espansione: | RF Mosfet 2 N-Channel (Dual) 5V 10mA 800MHz 24dB PG-SOT363-6 |
| Descrizione: | MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363 |
| Valutazione attuale: | 25mA |
| Corrente - Test: | 10mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per BG5412KE6327HTSA1
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
UF28150J | M/A-Com Technology Solutions | MOSFET 150W 28V 100-500MHZ | Inchiesta |
 |
PTFA261702E V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 170W H-30275-4 | Inchiesta |
 |
RFM08U9X(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH PW-X | Inchiesta |
 |
BG5412KH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363 | Inchiesta |
 |
MRF1K50HR5 | NXP USA Inc. | HIGH POWER RF TRANSISTOR | Inchiesta |
 |
PD84006-E | STMicroelectronics | FET RF 25V 870MHZ PWRSO-10RF | Inchiesta |
|
PD55008-E | STMicroelectronics | FET RF 40V 500MHZ PWRSO10 | Inchiesta |
 |
BLF8G24LS-100GVQ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244C | Inchiesta |
 |
PD20015C | STMicroelectronics | FET RF 40V 2GHZ M243 | Inchiesta |
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