BGB 540 E6327 - Infineon Technologies - Transistor-bipolare (BJT)-RF BGB 540 E6327

BGB 540 E6327

Modello di prodotti:: BGB 540 E6327

fabbricante:: International Rectifier (Infineon Technologies)

Descrizione:: TRANSISTOR RF ACT BIAS SOT-343

Stato Lead senza piombo / RoHS:: Senza piombo / RoHS conforme

quantità disponibile:: 12994 Pieces

Scheda dati:: BGB 540 E6327.pdf

Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):	3.5V
Tipo transistor:	NPN
Contenitore dispositivo fornitore:	PG-SOT343-4
Serie:	-
Potenza - Max:	120mW
imballaggio:	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:	SC-82A, SOT-343
Altri nomi:	BGB540E6327XT SP000013194
temperatura di esercizio:	150°C (TJ)
Di rumore (dB tip @ f):	1.3dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Tipo montaggio:	Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):	1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:	BGB 540 E6327
Guadagno:	16dB ~ 17.5dB
Frequenza - transizione:	-
Descrizione espansione:	RF Transistor NPN 3.5V 30mA 120mW Surface Mount PG-SOT343-4
Descrizione:	TRANSISTOR RF ACT BIAS SOT-343
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:	-
Corrente - collettore (Ic) (max):	30mA
Email:	[email protected]

Parti relative per BGB 540 E6327

Modello di prodotti	Produttori	Descrizione	vista
UTV200	Microsemi Corporation	TRANS RF BIPO 80W 4.5A 55JV2	Inchiesta
AT-41535G	Broadcom Limited	TRANSISTOR NPN BIPOLAR 35MICRO-X	Inchiesta
AT-30511-TR2G	Broadcom Limited	TRANS NPN BIPO 5.5V 8MA SOT-143	Inchiesta
MS1512	Microsemi Corporation	TRANS BIPO NPN M122	Inchiesta
2SC5006-T1-A	CEL	RF TRANSISTOR NPN SOT-523	Inchiesta

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