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BLF25M612,112
- Modello di prodotti:
- BLF25M612,112
- fabbricante:
- Ampleon
- Descrizione:
- RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975B
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18509 Pieces
- Scheda dati:
- BLF25M612,112.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - Prova: | 28V |
|---|---|
| Tensione - nominale: | 65V |
| Tipo transistor: | LDMOS |
| Contenitore dispositivo fornitore: | CDFM2 |
| Serie: | - |
| Alimentazione - uscita: | 12W |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | SOT-975B |
| Altri nomi: | 934066219112 |
| Figura di rumore: | - |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 13 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | BLF25M612,112 |
| Guadagno: | 19dB |
| Frequenza: | 2.45GHz |
| Descrizione espansione: | RF Mosfet LDMOS 28V 10mA 2.45GHz 19dB 12W CDFM2 |
| Descrizione: | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975B |
| Valutazione attuale: | - |
| Corrente - Test: | 10mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per BLF25M612,112
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
MMRF1305HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 133V 512MHZ NI-780-4 | Inchiesta |
 |
BF1210,115 | NXP USA Inc. | FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP | Inchiesta |
 |
BLF25M612G,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975C | Inchiesta |
|
MRF5S21045MBR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.17GHZ TO272-4 | Inchiesta |
 |
BLF25M612,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975B | Inchiesta |
 |
BLP8G27-5Z | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18DB 16VDFN | Inchiesta |
|
BLF25M612G,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975C | Inchiesta |
 |
SLD-1083CZ | RFMD | FET RF 35V 928MHZ RF083 | Inchiesta |
 |
BLL6H1214-500,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539A | Inchiesta |
|
MRF19125R3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.93GHZ NI-880 | Inchiesta |
 |
ATF-54143-TR1G | Broadcom Limited | FET RF 5V 2GHZ SOT-343 | Inchiesta |
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