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BLF278,112
- Modello di prodotti:
- BLF278,112
- fabbricante:
- Ampleon
- Descrizione:
- RF FET 2 NC 125V 22DB SOT262A1
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14609 Pieces
- Scheda dati:
- BLF278,112.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - Prova: | 50V |
|---|---|
| Tensione - nominale: | 125V |
| Tipo transistor: | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| Contenitore dispositivo fornitore: | CDFM4 |
| Serie: | - |
| Alimentazione - uscita: | 300W |
| imballaggio: | Tray |
| Contenitore / involucro: | SOT-262A1 |
| Altri nomi: | 568-2412 933978520112 BLF278 BLF278-ND |
| Figura di rumore: | - |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | BLF278,112 |
| Guadagno: | 22dB |
| Frequenza: | 108MHz |
| Descrizione espansione: | RF Mosfet 2 N-Channel (Dual) Common Source 50V 100mA 108MHz 22dB 300W CDFM4 |
| Descrizione: | RF FET 2 NC 125V 22DB SOT262A1 |
| Valutazione attuale: | 18A |
| Corrente - Test: | 100mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per BLF278,112
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
MRF5S9150HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 880MHZ NI-780 | Inchiesta |
 |
MRF9120LR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 880MHZ NI-860 | Inchiesta |
 |
BLF278/01,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET 2 NC 125V 22DB SOT262A1 | Inchiesta |
 |
PTFA080551EV4T500XWSA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 55W H-36265-2 | Inchiesta |
 |
MRF1550NT1 | NXP USA Inc. | FET RF 40V 175MHZ TO272-6 WRAP | Inchiesta |
 |
PTVA120251EAV2XWSA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | Inchiesta |
 |
BLF8G20LS-400PVJ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1242B | Inchiesta |
 |
BLF2425M7L100J | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502A | Inchiesta |
 |
PD55003TR-E | STMicroelectronics | FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10 | Inchiesta |
 |
CLF1G0060-30U | Ampleon USA Inc. | RF FET HEMT 150V 13DB SOT1227A | Inchiesta |
 |
SLD-2083CZ | RFMD | FET RF 35V 928MHZ RF083 | Inchiesta |
 |
MRFE6VP100HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 133V 512MHZ NI780 | Inchiesta |
 |
3135GN-170M | Microsemi Corporation | FETS RF GAN 150V 3.1-3.5GHZ 55QP | Inchiesta |
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