BS108/01,126
BS108/01,126
Modello di prodotti:
BS108/01,126
fabbricante:
NXP Semiconductors / Freescale
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18888 Pieces
Scheda dati:
BS108/01,126.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1.8V @ 1mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-92-3
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:5 Ohm @ 100mA, 2.8V
Dissipazione di potenza (max):1W (Ta)
imballaggio:Tape & Box (TB)
Contenitore / involucro:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Altri nomi:934009850126
BS108/01 AMO
BS108/01 AMO-ND
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:BS108/01,126
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:120pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 200V 300mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole TO-92-3
Tensione drain-source (Vdss):200V
Descrizione:MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:300mA (Ta)
Email:[email protected]

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