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BSC032NE2LSATMA1
- Modello di prodotti:
- BSC032NE2LSATMA1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 25V 22A TDSON-8
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12642 Pieces
- Scheda dati:
- BSC032NE2LSATMA1.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per BSC032NE2LSATMA1, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per BSC032NE2LSATMA1 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TDSON-8 |
| Serie: | OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 3.2 mOhm @ 30A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 2.8W (Ta), 78W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-PowerTDFN |
| Altri nomi: | BSC032NE2LS BSC032NE2LS-ND BSC032NE2LSTR-ND SP000854378 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 16 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | BSC032NE2LSATMA1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1200pF @ 12V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 16nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 25V 22A (Ta), 84A (Tc) 2.8W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 25V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 25V 22A TDSON-8 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 22A (Ta), 84A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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