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BSC0501NSIATMA1
- Modello di prodotti:
- BSC0501NSIATMA1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 30V 29A 8TDSON
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18934 Pieces
- Scheda dati:
- BSC0501NSIATMA1.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per BSC0501NSIATMA1, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per BSC0501NSIATMA1 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TDSON-8 |
| Serie: | OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 1.9 mOhm @ 30A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-PowerTDFN |
| Altri nomi: | SP001288140 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 16 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | BSC0501NSIATMA1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2200pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 33nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | Schottky Diode (Body) |
| Descrizione espansione: | N-Channel 30V 29A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 30V 29A 8TDSON |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 29A (Ta), 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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