BSC084P03NS3EGATMA1
BSC084P03NS3EGATMA1
Modello di prodotti:
BSC084P03NS3EGATMA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17398 Pieces
Scheda dati:
BSC084P03NS3EGATMA1.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3V @ 110µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TDSON-8
Serie:OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:8.4 mOhm @ 50A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2.5W (Ta), 69W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerTDFN
Altri nomi:BSC084P03NS3E G
BSC084P03NS3E G-ND
BSC084P03NS3E GTR-ND
SP000473012
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
codice articolo del costruttore:BSC084P03NS3EGATMA1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:4240pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:57.7nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 30V 14.9A (Ta), 78.6A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:14.9A (Ta), 78.6A (Tc)
Email:[email protected]

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