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BSC109N10NS3GATMA1
- Modello di prodotti:
- BSC109N10NS3GATMA1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 100V 63A 8TDSON
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12950 Pieces
- Scheda dati:
- BSC109N10NS3GATMA1.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 3.5V @ 45µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TDSON-8 |
| Serie: | OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 10.9 mOhm @ 46A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 78W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-PowerTDFN |
| Altri nomi: | BSC109N10NS3 G BSC109N10NS3 G-ND BSC109N10NS3 GTR-ND BSC109N10NS3G SP000778132 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 16 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | BSC109N10NS3GATMA1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2500pF @ 50V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 35nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 100V 63A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 6V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 100V 63A 8TDSON |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 63A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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