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BSM100GB170DN2HOSA1
- Modello di prodotti:
- BSM100GB170DN2HOSA1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MODULE IGBT 1700V
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18008 Pieces
- Scheda dati:
- BSM100GB170DN2HOSA1.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 1700V |
|---|---|
| Vce (on) (max) a VGE, Ic: | 3.9V @ 15V, 100A |
| Contenitore dispositivo fornitore: | Module |
| Serie: | - |
| Potenza - Max: | 1000W |
| Contenitore / involucro: | Module |
| Altri nomi: | SP000092012 |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Termistore NTC: | No |
| Tipo montaggio: | Chassis Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | BSM100GB170DN2HOSA1 |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: | 16nF @ 25V |
| Ingresso: | Standard |
| Tipo IGBT: | - |
| Descrizione espansione: | IGBT Module Half Bridge 1700V 145A 1000W Chassis Mount Module |
| Descrizione: | MODULE IGBT 1700V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 1mA |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 145A |
| Configurazione: | Half Bridge |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per BSM100GB170DN2HOSA1
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
APTGT100TA120TPG | Microsemi Corporation | MOD IGBT 1200V 140A SP6-P | Inchiesta |
 |
APT75GT120JRDQ3 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 97A 480W SOT227 | Inchiesta |
 |
IRG7T150CL12B | Infineon Technologies | MOD IGBT 1200V 150A POWIR 62 | Inchiesta |
|
APTGT50H60T1G | Microsemi Corporation | IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1 | Inchiesta |
 |
CM300DU-24H | Powerex Inc. | IGBT MOD DUAL 1200V 300A U SER | Inchiesta |
|
APTGT100TL170G | Microsemi Corporation | PWR MOD IGBT 3LEVEL INVERTER SP6 | Inchiesta |
 |
APT100GT60JRDQ4 | Microsemi Corporation | IGBT 600V 148A 500W SOT227 | Inchiesta |
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