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BSM120D12P2C005
- Modello di prodotti:
- BSM120D12P2C005
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 16144 Pieces
- Scheda dati:
- 1.BSM120D12P2C005.pdf2.BSM120D12P2C005.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.7V @ 22mA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | Module |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | - |
| Potenza - Max: | 780W |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | Module |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 16 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | BSM120D12P2C005 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 14000pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Caratteristica FET: | Standard |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 120A 780W Module |
| Tensione drain-source (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| Descrizione: | MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 120A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per BSM120D12P2C005
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