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BSM180D12P2C101
- Modello di prodotti:
- BSM180D12P2C101
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 13342 Pieces
- Scheda dati:
- 1.BSM180D12P2C101.pdf2.BSM180D12P2C101.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 35.2mA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | Module |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | - |
| Potenza - Max: | 1130W |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | Module |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 16 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | BSM180D12P2C101 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 23000pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Caratteristica FET: | Standard |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 180A 1130W Module |
| Tensione drain-source (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| Descrizione: | MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 180A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per BSM180D12P2C101
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