BSP129E6327T
BSP129E6327T
Modello di prodotti:
BSP129E6327T
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile:
15045 Pieces
Scheda dati:
BSP129E6327T.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1V @ 108µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-SOT223-4
Serie:SIPMOS®
Rds On (max) a Id, Vgs:6 Ohm @ 350mA, 10V
Dissipazione di potenza (max):1.8W (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-261-4, TO-261AA
Altri nomi:BSP129XTINTR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:BSP129E6327T
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:108pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:5.7nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:Depletion Mode
Descrizione espansione:N-Channel 240V 350mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Tensione drain-source (Vdss):240V
Descrizione:MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:350mA (Ta)
Email:[email protected]

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