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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-matrici > BSS138DWQ-7
BSS138DWQ-7
Modello di prodotti:
BSS138DWQ-7
fabbricante:
Diodes Incorporated
Descrizione:
MOSFET 2NCH 50V 200MA SOT363
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14284 Pieces
Scheda dati:
BSS138DWQ-7.pdf
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introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1.5V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:SOT-363
Serie:Automotive, AEC-Q101
Rds On (max) a Id, Vgs:3.5 Ohm @ 220mA, 10V
Potenza - Max:200mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:8 Weeks
codice articolo del costruttore:BSS138DWQ-7
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:50pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Standard
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 200mA 200mW Surface Mount SOT-363
Tensione drain-source (Vdss):50V
Descrizione:MOSFET 2NCH 50V 200MA SOT363
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:200mA
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
BSS138DW-7-F Image BSS138DW-7-F Diodes Incorporated MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SC70-6 Inchiesta
BSS138W-7 Image BSS138W-7 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 50V 0.2A SOT323 Inchiesta
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BSS138TC Image BSS138TC Diodes Incorporated MOSFET N-CH 50V 0.2A SOT23-3 Inchiesta
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BSS138DWQ-13 Diodes Incorporated MOSFET 2NCH 50V 200MA SOT363 Inchiesta
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