BSS308PEH6327XTSA1
Modello di prodotti:
BSS308PEH6327XTSA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET P-CH 30V 2A SOT23
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15873 Pieces
Scheda dati:
BSS308PEH6327XTSA1.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2V @ 11µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-SOT23-3
Serie:OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:80 mOhm @ 2A, 10V
Dissipazione di potenza (max):500mW (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi:BSS308PE H6327
BSS308PE H6327-ND
BSS308PE H6327TR-ND
BSS308PEH6327
BSS308PEH6327XTSA1TR
SP000928942
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:10 Weeks
codice articolo del costruttore:BSS308PEH6327XTSA1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:500pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:5nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 30V 2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET P-CH 30V 2A SOT23
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:2A (Ta)
Email:[email protected]

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