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BSS83P H6327
- Modello di prodotti:
- BSS83P H6327
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 60V 0.33A SOT23
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 16492 Pieces
- Scheda dati:
- BSS83P H6327.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per BSS83P H6327, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per BSS83P H6327 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2V @ 80µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-SOT23-3 |
| Serie: | SIPMOS® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 2 Ohm @ 330mA, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 360mW (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Altri nomi: | BSS83P H6327-ND BSS83PH6327 BSS83PH6327XTSA1 SP000702486 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | BSS83P H6327 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 78pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 3.57nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | P-Channel 60V 330mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23-3 |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 60V |
| Descrizione: | MOSFET P-CH 60V 0.33A SOT23 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 330mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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