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BSZ018NE2LSI
- Modello di prodotti:
- BSZ018NE2LSI
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 16835 Pieces
- Scheda dati:
- BSZ018NE2LSI.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per BSZ018NE2LSI, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per BSZ018NE2LSI via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TSDSON-8-FL |
| Serie: | OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 1.8 mOhm @ 20A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 2.1W (Ta), 69W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-PowerTDFN |
| Altri nomi: | BSZ018NE2LSI-ND BSZ018NE2LSIATMA1 SP000906032 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | BSZ018NE2LSI |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2500pF @ 12V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 36nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 25V 22A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 25V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 22A (Ta), 40A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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