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BSZ050N03MSGATMA1
BSZ050N03MSGATMA1
Modello di prodotti:
BSZ050N03MSGATMA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14086 Pieces
Scheda dati:
BSZ050N03MSGATMA1.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TSDSON-8
Serie:OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:4.5 mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2.1W (Ta), 48W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerTDFN
Altri nomi:BSZ050N03MS G
BSZ050N03MSG
BSZ050N03MSGINTR
BSZ050N03MSGINTR-ND
BSZ050N03MSGXT
SP000311518
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
codice articolo del costruttore:BSZ050N03MSGATMA1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:3600pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:46nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 30V 15A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:15A (Ta), 40A (Tc)
Email:[email protected]

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Parti relative per BSZ050N03MSGATMA1

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
ZXMN4A06KTC Image ZXMN4A06KTC Diodes Incorporated MOSFET N-CH 40V 7.2A DPAK Inchiesta
BSZ0503NSIATMA1 Image BSZ0503NSIATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 20A 8SON Inchiesta
BSZ0500NSIATMA1 Image BSZ0500NSIATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 30A 8SON Inchiesta
BUK9230-80EJ Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 80V DPAK Inchiesta
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BSZ0501NSIATMA1 Image BSZ0501NSIATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 25A 8SON Inchiesta
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