BSZ900N15NS3 G
BSZ900N15NS3 G
Modello di prodotti:
BSZ900N15NS3 G
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 150V 13A TDSON-8
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16339 Pieces
Scheda dati:
BSZ900N15NS3 G.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 20µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TSDSON-8
Serie:OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:90 mOhm @ 10A, 10V
Dissipazione di potenza (max):38W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerTDFN
Altri nomi:BSZ900N15NS3 G-ND
BSZ900N15NS3GATMA1
SP000677866
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:10 Weeks
codice articolo del costruttore:BSZ900N15NS3 G
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:510pF @ 75V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:7nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 150V 13A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):8V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):150V
Descrizione:MOSFET N-CH 150V 13A TDSON-8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:13A (Tc)
Email:[email protected]

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