BTS113ANKSA1
BTS113ANKSA1
Modello di prodotti:
BTS113ANKSA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile:
19477 Pieces
Scheda dati:
BTS113ANKSA1.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 1mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:P-TO220AB
Serie:TEMPFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:170 mOhm @ 5.8A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):40W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
Altri nomi:BTS113A
BTS113A-ND
SP000011187
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:BTS113ANKSA1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:560pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 60V 11.5A (Tc) 40W (Tc) Through Hole P-TO220AB
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:11.5A (Tc)
Email:[email protected]

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