BUK663R5-55C,118
BUK663R5-55C,118
Modello di prodotti:
BUK663R5-55C,118
fabbricante:
Nexperia
Descrizione:
MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile:
13840 Pieces
Scheda dati:
BUK663R5-55C,118.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.8V @ 1mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:D2PAK
Serie:Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:3.4 mOhm @ 25A, 10V
Dissipazione di potenza (max):263W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi:1727-5523-2
568-7002-2
568-7002-2-ND
934064225118
BUK663R5-55C,118-ND
BUK663R555C118
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:20 Weeks
codice articolo del costruttore:BUK663R5-55C,118
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:11516pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:191nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 55V 120A (Tc) 263W (Tc) Surface Mount D2PAK
Tensione drain-source (Vdss):55V
Descrizione:MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:120A (Tc)
Email:[email protected]

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