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BUK9E4R4-80E,127
- Modello di prodotti:
- BUK9E4R4-80E,127
- fabbricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18600 Pieces
- Scheda dati:
- BUK9E4R4-80E,127.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.1V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | I2PAK |
| Serie: | TrenchMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 4.2 mOhm @ 25A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 349W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Altri nomi: | 568-9875-5 934066515127 BUK9E4R480E127 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | BUK9E4R4-80E,127 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 17130pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 123nC @ 5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 80V 120A (Tc) 349W (Tc) Through Hole I2PAK |
| Tensione drain-source (Vdss): | 80V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 120A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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