BUK9Y9R9-80E,115
BUK9Y9R9-80E,115
Modello di prodotti:
BUK9Y9R9-80E,115
fabbricante:
NXP Semiconductors / Freescale
Descrizione:
MOSFET N-CH 80V LFPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19906 Pieces
Scheda dati:
BUK9Y9R9-80E,115.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:-
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:LFPAK56, Power-SO8
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:-
Dissipazione di potenza (max):-
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SC-100, SOT-669
Altri nomi:934067027115
temperatura di esercizio:-
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:BUK9Y9R9-80E,115
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 80V Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Tensione drain-source (Vdss):80V
Descrizione:MOSFET N-CH 80V LFPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:-
Email:[email protected]

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