BUV21G
BUV21G
Modello di prodotti:
BUV21G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
TRANS NPN 200V 40A TO-3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14689 Pieces
Scheda dati:
BUV21G.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):200V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:1.5V @ 3A, 25A
Tipo transistor:NPN
Contenitore dispositivo fornitore:TO-3
Serie:SWITCHMODE™
Potenza - Max:250W
imballaggio:Tray
Contenitore / involucro:TO-204AE
Altri nomi:BUV21G-ND
BUV21GOSOS
temperatura di esercizio:-65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:2 Weeks
codice articolo del costruttore:BUV21G
Frequenza - transizione:8MHz
Descrizione espansione:Bipolar (BJT) Transistor NPN 200V 40A 8MHz 250W Through Hole TO-3
Descrizione:TRANS NPN 200V 40A TO-3
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:20 @ 12A, 2V
Corrente - Cutoff collettore (max):3mA
Corrente - collettore (Ic) (max):40A
Email:[email protected]

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