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BUZ30A H
- Modello di prodotti:
- BUZ30A H
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15041 Pieces
- Scheda dati:
- BUZ30A H.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per BUZ30A H, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per BUZ30A H via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO-220-3 |
| Serie: | SIPMOS® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 130 mOhm @ 13.5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 125W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-220-3 |
| Altri nomi: | BUZ30AH BUZ30AHXKSA1 SP000682990 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 12 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | BUZ30A H |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1900pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 200V 21A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3 |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 200V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 21A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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