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BUZ31 H3045A
- Modello di prodotti:
- BUZ31 H3045A
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 200V 14.5A TO263
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17307 Pieces
- Scheda dati:
- BUZ31 H3045A.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per BUZ31 H3045A, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per BUZ31 H3045A via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO263-3 |
| Serie: | SIPMOS® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 200 mOhm @ 9A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 95W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi: | BUZ31 H3045A-ND BUZ31 L3045A BUZ31 L3045A-ND BUZ31H3045AATMA1 BUZ31L3045AXT SP000102175 SP000736084 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | BUZ31 H3045A |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1120pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 200V 14.5A (Tc) 95W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 200V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 200V 14.5A TO263 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 14.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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