Acquistare BUZ80A con BYCHPS
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Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 1mA |
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Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore: | TO-220AB |
Serie: | SIPMOS® |
Rds On (max) a Id, Vgs: | 3 Ohm @ 2A, 10V |
Dissipazione di potenza (max): | 100W (Tc) |
imballaggio: | Tube |
Contenitore / involucro: | TO-220-3 |
Altri nomi: | BUZ80AIN |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio: | Through Hole |
Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
codice articolo del costruttore: | BUZ80A |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1350pF @ 25V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
Tipo FET: | N-Channel |
Caratteristica FET: | - |
Descrizione espansione: | N-Channel 800V 3.6A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220AB |
Tensione drain-source (Vdss): | 800V |
Descrizione: | MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-220AB |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 3.6A (Tc) |
Email: | [email protected] |