C3M0280090J
C3M0280090J
Modello di prodotti:
C3M0280090J
fabbricante:
Cree
Descrizione:
MOSFET N-CH 900V 11A
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12316 Pieces
Scheda dati:
C3M0280090J.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3.5V @ 1.2mA
Vgs (Max):+18V, -8V
Tecnologia:SiCFET (Silicon Carbide)
Contenitore dispositivo fornitore:D2PAK-7
Serie:C3M™
Rds On (max) a Id, Vgs:360 mOhm @ 7.5A, 15V
Dissipazione di potenza (max):50W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:8 Weeks
codice articolo del costruttore:C3M0280090J
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:150pF @ 600V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:9.5nC @ 15V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 900V 11A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):15V
Tensione drain-source (Vdss):900V
Descrizione:MOSFET N-CH 900V 11A
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:11A (Tc)
Email:[email protected]

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