CAS100H12AM1
CAS100H12AM1
Modello di prodotti:
CAS100H12AM1
fabbricante:
Cree
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 1200V 168A MODULE
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile:
13424 Pieces
Scheda dati:
CAS100H12AM1.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3.1V @ 50mA
Contenitore dispositivo fornitore:Module
Serie:Z-FET™
Rds On (max) a Id, Vgs:20 mOhm @ 20A, 20V
Potenza - Max:568W
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:Module
temperatura di esercizio:-
Tipo montaggio:Chassis Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:CAS100H12AM1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:9500pF @ 800V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET:Standard
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 168A 568W Chassis Mount Module
Tensione drain-source (Vdss):1200V (1.2kV)
Descrizione:MOSFET 2N-CH 1200V 168A MODULE
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:168A
Email:[email protected]

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