CMF10120D
CMF10120D
Modello di prodotti:
CMF10120D
fabbricante:
Cree
Descrizione:
MOSFET N-CH 1200V 24A TO247
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19486 Pieces
Scheda dati:
CMF10120D.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 500µA
Vgs (Max):+25V, -5V
Tecnologia:SiCFET (Silicon Carbide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-247
Serie:Z-FET™
Rds On (max) a Id, Vgs:220 mOhm @ 10A, 20V
Dissipazione di potenza (max):134W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-247-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 135°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:CMF10120D
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:928pF @ 800V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:47.1nC @ 20V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 1200V (1.2kV) 24A (Tc) 134W (Tc) Through Hole TO-247
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):20V
Tensione drain-source (Vdss):1200V (1.2kV)
Descrizione:MOSFET N-CH 1200V 24A TO247
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:24A (Tc)
Email:[email protected]

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