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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > CSD17309Q3
CSD17309Q3
Modello di prodotti:
CSD17309Q3
fabbricante:
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 60A 8SON
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / Non applicabile
quantità disponibile:
18316 Pieces
Scheda dati:
CSD17309Q3.pdf
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introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1.7V @ 250µA
Vgs (Max):+10V, -8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-VSON (3.3x3.3)
Serie:NexFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:5.4 mOhm @ 18A, 8V
Dissipazione di potenza (max):2.8W (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerTDFN
Altri nomi:296-27250-2
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
codice articolo del costruttore:CSD17309Q3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1440pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:10nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 30V 20A (Ta), 60A (Tc) 2.8W (Ta) Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):3V, 8V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET N-CH 30V 60A 8SON
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:20A (Ta), 60A (Tc)
Email:[email protected]

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