Acquistare CSD18510KCS con BYCHPS
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Vgs (th) (max) a Id: | 2.3V @ 250µA |
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Vgs (Max): | ±20V |
Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore: | TO-220-3 |
Serie: | NexFET™ |
Rds On (max) a Id, Vgs: | 1.7 mOhm @ 100A, 10V |
Dissipazione di potenza (max): | 250W (Ta) |
imballaggio: | Tube |
Contenitore / involucro: | TO-220-3 |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo montaggio: | Through Hole |
Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard: | 3 Weeks |
codice articolo del costruttore: | CSD18510KCS |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 11400pF @ 20V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 75nC @ 4.5V |
Tipo FET: | N-Channel |
Caratteristica FET: | - |
Descrizione espansione: | N-Channel 40V 200A (Ta) 250W (Ta) Through Hole TO-220-3 |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
Tensione drain-source (Vdss): | 40V |
Descrizione: | MOSFET N-CH 40V 200A TO220-3 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 200A (Ta) |
Email: | [email protected] |