CSD18543Q3AT
Modello di prodotti:
CSD18543Q3AT
fabbricante:
Descrizione:
60V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF
quantità disponibile:
16033 Pieces
Scheda dati:
CSD18543Q3AT.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.7V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-VSON (3.3x3.3)
Serie:NexFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:15.6 mOhm @ 12A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):66W (Tc)
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:8-PowerVDFN
Altri nomi:296-45302-6
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:6 Weeks
codice articolo del costruttore:CSD18543Q3AT
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1150pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:14.5nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 60V 12A (Ta), 60A (Tc) 66W (Tc) Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:60V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:12A (Ta), 60A (Tc)
Email:[email protected]

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