CSD23203WT
Modello di prodotti:
CSD23203WT
fabbricante:
Descrizione:
MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19241 Pieces
Scheda dati:
CSD23203WT.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1.1V @ 250µA
Vgs (Max):-6V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:6-DSBGA
Serie:NexFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:19.4 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):750mW (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:6-UFBGA, DSBGA
Altri nomi:296-38615-2
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:6 Weeks
codice articolo del costruttore:CSD23203WT
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:914pF @ 4V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:6.3nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 8V 3A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount 6-DSBGA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):1.8V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss):8V
Descrizione:MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:3A (Ta)
Email:[email protected]

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