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CSD25201W15
- Modello di prodotti:
- CSD25201W15
- fabbricante:
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17395 Pieces
- Scheda dati:
- CSD25201W15.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.1V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 9-DSBGA |
| Serie: | NexFET™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 40 mOhm @ 2A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 1.5W (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 9-UFBGA, DSBGA |
| Altri nomi: | 296-27609-2 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | CSD25201W15 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 510pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 5.6nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | P-Channel 20V 4A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 9-DSBGA |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione: | MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 4A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per CSD25201W15
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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CSD25404Q3 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON | Inchiesta |
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