DB157G
Modello di prodotti:
DB157G
fabbricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrizione:
DIODE BRIDGE 1000V 1.5A DB
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15628 Pieces
Scheda dati:
1.DB157G.pdf2.DB157G.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione - Picco inversa (max):1000V
Tensione - diretta (Vf) (max) a If:1.1V @ 1.5A
Tecnologia:Standard
Contenitore dispositivo fornitore:DB
Serie:-
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Altri nomi:DB157GGN
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:4 Weeks
codice articolo del costruttore:DB157G
Descrizione espansione:Bridge Rectifier Single Phase 1000V 1.5A Through Hole DB
Tipo diodo:Single Phase
Descrizione:DIODE BRIDGE 1000V 1.5A DB
Corrente - Dispersione inversa a Vr:5µA @ 1000V
Corrente - raddrizzata media (Io):1.5A
Email:[email protected]

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