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DBD10G-E
- Modello di prodotti:
- DBD10G-E
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- DIODE BRIDGE 1PH 1A 600V 4DIP
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17784 Pieces
- Scheda dati:
- DBD10G-E.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per DBD10G-E, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per DBD10G-E via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Tensione - Picco inversa (max): | 600V |
|---|---|
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If: | 1.05V @ 500mA |
| Tecnologia: | Standard |
| Contenitore dispositivo fornitore: | - |
| Serie: | - |
| imballaggio: | Tape & Box (TB) |
| Contenitore / involucro: | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Altri nomi: | DBD10G-E-ND DBD10G-EOSTB |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | DBD10G-E |
| Descrizione espansione: | Bridge Rectifier Single Phase 600V 1A Through Hole |
| Tipo diodo: | Single Phase |
| Descrizione: | DIODE BRIDGE 1PH 1A 600V 4DIP |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr: | 10µA @ 600V |
| Corrente - raddrizzata media (Io): | 1A |
| Email: | [email protected] |
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