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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-matrici, pre-polarizzato > DDA114EH-7
DDA114EH-7
DDA114EH-7
Modello di prodotti:
DDA114EH-7
fabbricante:
Diodes Incorporated
Descrizione:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W SOT563
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16091 Pieces
Scheda dati:
DDA114EH-7.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore:SOT-563
Serie:-
Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm):10k
Resistenza - Base (R1) (ohm):10k
Potenza - Max:150mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SOT-563, SOT-666
Altri nomi:DDA114EH-7-ND
DDA114EH-7DITR
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:8 Weeks
codice articolo del costruttore:DDA114EH-7
Frequenza - transizione:250MHz
Descrizione espansione:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount SOT-563
Descrizione:TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W SOT563
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:30 @ 5mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max):-
Corrente - collettore (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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