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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo, pre-polarizzato > DDTA113TCA-7-F
DDTA113TCA-7-F
DDTA113TCA-7-F
Modello di prodotti:
DDTA113TCA-7-F
fabbricante:
Diodes Incorporated
Descrizione:
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16764 Pieces
Scheda dati:
DDTA113TCA-7-F.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:300mV @ 1mA, 10mA
Tipo transistor:PNP - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore:SOT-23-3
Serie:-
Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm):-
Resistenza - Base (R1) (ohm):1k
Potenza - Max:200mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi:DDTA113TCA-FDITR
DDTA113TCA7F
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
codice articolo del costruttore:DDTA113TCA-7-F
Frequenza - transizione:250MHz
Descrizione espansione:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3
Descrizione:TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:100 @ 1mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max):500nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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