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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo, pre-polarizzato > DDTB122LC-7
DDTB122LC-7
DDTB122LC-7
Modello di prodotti:
DDTB122LC-7
fabbricante:
Diodes Incorporated
Descrizione:
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile:
17497 Pieces
Scheda dati:
DDTB122LC-7.pdf
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introduzione

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Specifiche

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:300mV @ 2.5mA, 50mA
Tipo transistor:PNP - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore:SOT-23-3
Serie:-
Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm):10k
Resistenza - Base (R1) (ohm):220
Potenza - Max:200mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi:DDTB122LCDITR
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:DDTB122LC-7
Frequenza - transizione:200MHz
Descrizione espansione:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3
Descrizione:TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:56 @ 50mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max):500nA
Corrente - collettore (Ic) (max):500mA
Email:[email protected]

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Parti relative per DDTB122LC-7

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
DDTB122TC-7 Image DDTB122TC-7 Diodes Incorporated TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 Inchiesta
DDTB122TC-7-F Image DDTB122TC-7-F Diodes Incorporated TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 Inchiesta
DDTB122TU-7 Image DDTB122TU-7 Diodes Incorporated TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 Inchiesta
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