DMG4468LK3-13
DMG4468LK3-13
Modello di prodotti:
DMG4468LK3-13
fabbricante:
Diodes Incorporated
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12897 Pieces
Scheda dati:
DMG4468LK3-13.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1.95V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-252-3
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:16 mOhm @ 11.6A, 10V
Dissipazione di potenza (max):1.68W (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:DMG4468LK3-13DITR
DMG4468LK313
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:8 Weeks
codice articolo del costruttore:DMG4468LK3-13
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:867pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:18.85nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 30V 9.7A (Ta) 1.68W (Ta) Surface Mount TO-252-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:9.7A (Ta)
Email:[email protected]

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