DMG7702SFG-7
DMG7702SFG-7
Modello di prodotti:
DMG7702SFG-7
fabbricante:
Diodes Incorporated
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333-8
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15764 Pieces
Scheda dati:
DMG7702SFG-7.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PowerDI3333-8
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:10 mOhm @ 13.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):890mW (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerWDFN
Altri nomi:DMG7702SFG-7DITR
DMG7702SFG7
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
codice articolo del costruttore:DMG7702SFG-7
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:4310pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:31.6nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:Schottky Diode (Body)
Descrizione espansione:N-Channel 30V 12A (Ta) 890mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333-8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:12A (Ta)
Email:[email protected]

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