DMN2008LFU-7
DMN2008LFU-7
Modello di prodotti:
DMN2008LFU-7
fabbricante:
Diodes Incorporated
Descrizione:
MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17410 Pieces
Scheda dati:
DMN2008LFU-7.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1.5V @ 250A
Contenitore dispositivo fornitore:U-DFN2030-6 (Type B)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:5.4 mOhm @ 5.5A, 4.5V
Potenza - Max:1W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:6-UFDFN Exposed Pad
Altri nomi:DMN2008LFU-7DITR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
codice articolo del costruttore:DMN2008LFU-7
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1418pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:42.3nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Standard
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 14.5A 1W Surface Mount U-DFN2030-6 (Type B)
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione:MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:14.5A
Email:[email protected]

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