DMN2022UNS-13
DMN2022UNS-13
Modello di prodotti:
DMN2022UNS-13
fabbricante:
Diodes Incorporated
Descrizione:
MOSFET 8V 24V POWERDI3333-8
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13842 Pieces
Scheda dati:
DMN2022UNS-13.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:PowerDI3333-8
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:10.8 mOhm @ 4A, 4.5V
Potenza - Max:1.2W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerVDFN
Altri nomi:DMN2022UNS-13DITR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
codice articolo del costruttore:DMN2022UNS-13
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1870pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:20.3nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Caratteristica FET:Standard
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 20V 10.7A (Ta) 1.2W Surface Mount PowerDI3333-8
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione:MOSFET 8V 24V POWERDI3333-8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:10.7A (Ta)
Email:[email protected]

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