DMN2400UFDQ-7
Modello di prodotti:
DMN2400UFDQ-7
fabbricante:
Diodes Incorporated
Descrizione:
MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16712 Pieces
Scheda dati:
DMN2400UFDQ-7.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:U-DFN1212-3
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:600 mOhm @ 200mA, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):400mW (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:3-XDFN
Altri nomi:DMN2400UFDQ-7DI
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
codice articolo del costruttore:DMN2400UFDQ-7
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:37pF @ 16V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:0.5nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 20V 900mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount U-DFN1212-3
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione:MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:900mA (Ta)
Email:[email protected]

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