Acquistare DMN3008SFG-7 con BYCHPS
Acquista con garanzia
DMN3008SFG-7
- Modello di prodotti:
- DMN3008SFG-7
- fabbricante:
- Diodes Incorporated
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 13249 Pieces
- Scheda dati:
- DMN3008SFG-7.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per DMN3008SFG-7, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per DMN3008SFG-7 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.3V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PowerDI3333-8 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 4.6 mOhm @ 13.5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 900mW (Ta) |
| imballaggio: | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro: | 8-PowerWDFN |
| Altri nomi: | DMN3008SFG-7DIDKR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 16 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | DMN3008SFG-7 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 3690pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 86nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 30V 17.6A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8 |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 17.6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per DMN3008SFG-7
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
DMN3007LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC | Inchiesta |
|
DMN3052LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 7.1A 8-SOIC | Inchiesta |
 |
DMN3042L-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23 | Inchiesta |
 |
DMN3024SFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8 | Inchiesta |
 |
DMN3016LFDE-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 10A U-DFN2020-6 | Inchiesta |
 |
DMN3008SFGQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI | Inchiesta |
|
DMN3008SFGQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI | Inchiesta |
|
DMN3009SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333 | Inchiesta |
 |
DMN3016LDN-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN | Inchiesta |
|
DMN3008SFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI | Inchiesta |
 |
DMN3005LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3L | Inchiesta |
|
DMN3009SFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333 | Inchiesta |
Latest Notizie
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers