DMN6069SFG-13
DMN6069SFG-13
Modello di prodotti:
DMN6069SFG-13
fabbricante:
Diodes Incorporated
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14079 Pieces
Scheda dati:
DMN6069SFG-13.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PowerDI3333-8
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:50 mOhm @ 4.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):930mW (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerWDFN
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
codice articolo del costruttore:DMN6069SFG-13
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1480pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:25nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 60V 5.6A (Ta), 18A (Tc) 930mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:5.6A (Ta), 18A (Tc)
Email:[email protected]

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