Acquistare DMN65D8LQ-13 con BYCHPS
Acquista con garanzia
DMN65D8LQ-13
- Modello di prodotti:
- DMN65D8LQ-13
- fabbricante:
- Diodes Incorporated
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 60V SOT23
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15981 Pieces
- Scheda dati:
- DMN65D8LQ-13.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per DMN65D8LQ-13, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per DMN65D8LQ-13 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SOT-23 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 3 Ohm @ 115mA, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 370mW (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 12 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | DMN65D8LQ-13 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 22pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 0.87nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 60V 310mA (Ta) 370mW (Ta) Surface Mount SOT-23 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 60V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 60V SOT23 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 310mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per DMN65D8LQ-13
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
DMN65D8LDW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363 | Inchiesta |
 |
DMN65D8LDWQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 180MA SOT363 | Inchiesta |
 |
DMN65D8LQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V SOT23 | Inchiesta |
 |
DMN65D8LFB-7B | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN | Inchiesta |
|
DMN65D8LDWQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 180MA SOT363 | Inchiesta |
 |
DMN65D8LW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT323 | Inchiesta |
 |
NVTFS4824NTWG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 18.2A 8WDFN | Inchiesta |
|
DMN65D8L-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23 | Inchiesta |
 |
IRFR3707TRL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 61A DPAK | Inchiesta |
|
DMN65D8LFB-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN | Inchiesta |
 |
IRL7833SPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK | Inchiesta |
Latest Notizie
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers