DMP2010UFG-7
DMP2010UFG-7
Modello di prodotti:
DMP2010UFG-7
fabbricante:
Diodes Incorporated
Descrizione:
MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16874 Pieces
Scheda dati:
DMP2010UFG-7.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1.2V @ 250µA
Vgs (Max):±10V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PowerDI3333-8
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:9.5 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):900mW (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerWDFN
Altri nomi:DMP2010UFG-7DITR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
codice articolo del costruttore:DMP2010UFG-7
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:3350pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:103nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 20V 12.7A (Ta), 42A (Tc) 900mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):2.5V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione:MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:12.7A (Ta), 42A (Tc)
Email:[email protected]

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