DMP2069UFY4-7
DMP2069UFY4-7
Modello di prodotti:
DMP2069UFY4-7
fabbricante:
Diodes Incorporated
Descrizione:
MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-DFN
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18129 Pieces
Scheda dati:
DMP2069UFY4-7.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:DFN2015H4-3
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:54 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):530mW (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:3-XFDFN
Altri nomi:DMP2069UFY4-7DITR
DMP2069UFY47
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
codice articolo del costruttore:DMP2069UFY4-7
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:214pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:9.1nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 20V 2.5A (Ta) 530mW (Ta) Surface Mount DFN2015H4-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):1.8V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione:MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-DFN
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:2.5A (Ta)
Email:[email protected]

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